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J-GLOBAL ID：201002250981990896   整理番号：10A1537173

CバンドGaN HEMT F級増幅器のための寄生素子補償設計技術

Parasitic Compensation Design Technique for a C-Band GaN HEMT Class-F Amplifier

著者 (3件)： KURODA Kenta (Univ. Electro-Communications, Chofu-shi, JPN) ,  ISHIKAWA Ryo (Univ. Electro-Communications, Chofu-shi, JPN) ,  HONJO Kazuhiko (Univ. Electro-Communications, Chofu-shi, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 58  号： 11,Pt.1  ページ： 2741-2750  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： マイクロ波F級増幅器の寄生素子による影響を克服し潜在性能を最大限に引き出すため,3次高調波まで寄生素子補償を行った報告がある。しかし,ドレイン効率が85%を超える高効率動作を達成するには3次高調波では不十分である。本論文で,3次を超える高調波まで考慮したF級・逆F級負荷回路の設計法を述べた。この方法は寄生素子を含むLCはしご型回路を用い,この回路を第二Cauer標準形を用いてF級あるいは逆F級インピーダンス条件を持つリアクタンス関数から求める。5次まで考慮した5.8GHzのF級AlGaN-GaN HEMT増幅器を製作し測定した結果,ドレイン効率は79.9%,PAEは71.9%であり,以前の報告より改良された。

シソーラス用語： マイクロ波通信 ,  高周波増幅器 ,  *電力増幅器 ,  *電力付加効率 ,  インピーダンス整合 ,  高調波 ,  整合器 ,  窒化ガリウム ,  HEMT
準シソーラス用語： マイクロ波増幅器 ,  *F級増幅器 ,  寄生素子 ,  GaN HEMT

分類 (1件)： 増幅回路  (NC05040U)

タイトルに関連する用語 (7件)： Cバンド ,  GaN ,  HEMT ,  F級増幅器 ,  寄生素子 ,  補償 ,  設計