Pr(EtCp)<sub>3</sub>前駆体を用いた原子層堆積による酸化Pr膜の形成

KONDO Hiroki; MATSUI Hirotaka; FURUTA Kazuya; SAKASHITA Mitsuo; ZAIMA Shigeaki

文献

J-GLOBAL ID：201002251071560800 整理番号：10A0490960

Pr(EtCp)₃前駆体を用いた原子層堆積による酸化Pr膜の形成

Formation of Pr Oxide Films by Atomic Layer Deposition Using Pr(EtCp)₃ Precursor

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資料名：
巻： 49 号： 4,Issue 2 ページ： 04DA14.1-04DA14.4 発行年： 2010年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

Pr(EtCp)₃とH₂Oを用いた原子層堆積(ALD)技術による酸化Pr膜の形成を調べた。0.07nm/サイクルの速度での酸化Pr膜のALD-モード成長と≦2%の厚み変化を3インチSiウエハ上で得た。透過型電子顕微鏡(TEM)と透過電子拡散(TED)パターンは多結晶立方晶系Pr₂O₃膜がSi(0001)基板上に成長したことを明らかにした。一方,立方晶系Pr₂O₃膜のエピタキシャル成長をSi(111)基板上に明白に観察した。X線光電子分光分析によると,130°Cで成長させたALD-酸化Pr膜のC含有率は1.6%であった。Al/ALD-酸化Pr/Si(001)コンデンサに対して比較的良い容量電圧特性を観測した。130°Cで成長させたALD-酸化Pr膜とSi(001)基板の界面状態密度は約1×10^-2eV^-1であった。250°Cで成長させたALD-酸化Pr膜の誘電率は,層間の誘電率がSiO₂の誘電率に似ていると仮定して,約18と決定した。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜

引用文献 (18件)：

H. J. Osten, J. P. Liu, P. Gaworzewski, E. Bugiel, and P. Zaumseil: IEDM Tech. Dig., 2000, p. 653.
A. Sakai, S. Sakashita, M. Sakashita, Y. Yasuda, S. Zaima, and S. Miyazaki: Appl. Phys. Lett.85(2004)5322.
J. Dabrowski, V. Zavodinsky, and A. Fleszar: Microelectron. Reliab.41(2001)1093.
H. J. Osten, J. P. Liu, and H. J. Müssig: Appl. Phys. Lett.80(2002)297.
K. Kukli, M. Ritala, T. Pilvi, T. Sajavaara, M. Leskela, A. C. Jones, H. C. Aspinall, D. C. Gilmer, and P. J. Tobin: Chem. Mater.16(2004)5162.

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