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J-GLOBAL ID：201002251143746726   整理番号：10A1124904

Si(100)とGe(100)基板上への六方La₂O₃膜のO₃ベース原子層堆積

O₃-based atomic layer deposition of hexagonal La₂O₃ films on Si(100) and Ge(100) substrates

著者 (9件)： LAMAGNA L. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  WIEMER C. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  PEREGO M. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  VOLKOS S. N. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  BALDOVINO S. (Dipartimento di Scienza dei Materiali, Universita degli Studi di Milano-Bicocca, 20126 Milano, ITA) ,  TSOUTSOU D. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA) ,  SCHAMM-CHARDON S. (nMat group, CEMES-CNRS, Univ. de Toulouse, BP 94347, 31055 Toulouse cedex 4, FRA) ,  COULON P. E. (nMat group, CEMES-CNRS, Univ. de Toulouse, BP 94347, 31055 Toulouse cedex 4, FRA) ,  FANCIULLI M. (Laboratorio MDM, IMM-CNR, Via C. Olivetti 2, 20041 Agrate Brianza (MB), ITA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 8  ページ： 084108  発行年： 2010年10月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La(ⁱPrC_p)₃とO₃を用いて200°Cでの原子相堆積により成長させた水酸化La₂O₃膜の真空アニーリングでLa₂O₃の六方晶が得られた。Siベース及びGeベースの金属-酸化物-半導体キャパシタでそれぞれ24±2及び22±1の誘電率値が得られた。しかし比較的良好なLa₂O₃の誘電特性は両半導体基板上の著しい界面反応に起因している。これによりこのスタックの酸化物換算厚みの減少を制限する最小臨界厚みを確認できる。これらの知見を成長の際,及びアニーリングで生じたケイ酸及びゲルマニウム酸ランタン種の自発形成により説明した。最終的な膜厚のスケーラビリティーには未解決な関心事が残るが,O₃ベースのプロセスは高κ六方晶相に変換できるLa₂O₃膜を作製するのに適した解決策になることが実証された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： MOS集積回路 ,  ゲート【半導体】 ,  *絶縁膜 ,  原子層エピタクシー ,  *酸化ランタン ,  アニーリング【現象】 ,  六方晶系 ,  誘電体薄膜 ,  基板 ,  ケイ素 ,  ゲルマニウム ,  *MOS構造 ,  薄膜コンデンサ ,  誘電率 ,  不均一系反応 ,  境界層 ,  RTA【熱処理】 ,  膜厚 ,  電子密度 ,  深さプロフィル ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： CET【膜厚】 ,  界面層 ,  界面反応

分類 (3件)： 誘電体一般  (BM05010F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  Ge ,  La2O3 ,  O3 ,  原子層堆積