文献

J-GLOBAL ID：201002251352403879   整理番号：10A0176887

スーパーストレート構造を有する薄膜太陽電池のCuIn(Se,S)₂層の電気化学的合成

Electrochemical Synthesis of CuIn(Se,S)₂ Layer for Thin-Film Solar Cell with a Superstrate Configuration

著者 (4件)： IKEDA Shigeru (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  KAMAI Ryo (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  YAGI Tetsuro (Osaka Univ., Toyonaka, JPN) ,  MATSUMURA Michio (Osaka Univ., Toyonaka, JPN)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 157  号： 1  ページ： B99-B103  発行年： 2010年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,CdS被覆フッ素ドープ酸化スズ(FTO)基板にCuInSe₂膜を電着すること,及び硫黄雰囲気下でアニーリングすることによって,CuIn(Se,S)₂-CdSヘテロ接合を作製し,検討を行った。アニーリングにより,硫黄によるセレニウムの部分置換を生じ,CuIn(Se,S)₂固溶体が形成した。構造特性の解析では,硫黄含有量及び光吸収がアニール温度に非常に依存することが明らかになった。CuIn(Se,S)₂層を硫黄雰囲気中350°Cでアニール化する場合,FTO/CdS/CuIn(Se,S)₂/Auスーパーストレート構造太陽電池の性能は,最も高かった。また,CuIn(Se,S)₂/CdS接合の静電容量電圧解析では,光電流における改良に寄与して,高温でアニール化されることにより,CuIn(Se,S)₂の孔密度が増加することを示した。しかし,高温のアニーリングにより,CuIn(Se,S)₂層へのCdSの相互拡散を生じ,太陽電池の性能が低下した。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  *セレン化物 ,  *インジウム化合物 ,  *硫化物 ,  *銅化合物 ,  *電解合成 ,  硫化カドミウム ,  硫黄 ,  セレン ,  相互拡散 ,  ヘテロ接合 ,  光電流
準シソーラス用語： CdS ,  アニーリング ,  アニール処理 ,  セレニウム ,  *電気化学合成 ,  電池性能 ,  *薄膜太陽電池

分類 (3件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  電気化学的操作・装置一般  (XE02010I) ,  界面の電気的性質一般  (BM03081H)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜太陽電池 ,  Se ,  2層 ,  化学的合成