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J-GLOBAL ID：201002251427996064   整理番号：10A0435408

光ルミネセンスによるCzochralskiー成長TeドーピングGaSb中の自然欠陥の濃度

Native defect concentration in Czochralski-grown Te-doped GaSb by photoluminescence

著者 (7件)： VLASOV A.s. (A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS) ,  RAKOVA E.p. (A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS) ,  KHVOSTIKOV V.p. (A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS) ,  SOROKINA S.v. (A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS) ,  KALINOVSKY V.s. (A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS) ,  SHVARTS M.z. (A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS) ,  ANDREEV V.m. (A. F. Ioffe Physical-Technical Inst., 26 Polytechnicheskaya, St. Petersburg 194021, RUS)
資料名： Solar Energy Materials and Solar Cells  (Solar Energy Materials and Solar Cells)
巻： 94  号： 6  ページ： 1113-1117  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： D0513C  ISSN： 0927-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Czochralskiー成長TeドーピングGaSbウエハーの光ルミネセンス特徴付けが提示される。77KにおけるTeドーピングGaSbウエハーの光ルミネセンス線形状の計算が実行された。自然欠陥濃度の推定に光ルミネセンス線形状解析が使用可能であることが実証された。2×10¹⁷から 2×10¹⁸cm^-3のドーピングレベルのn型ウェハが研究された。光ルミネセンスデータから得られたドーピングレベルは,Hall移動度測定結果に関連している。自然欠陥濃度は開発された分析の支援により得られた。異なるウエハー製造されていた光電池の比較研究が提示される。再結合関連電流コンポーネントの変化,スペクトル光応答曲線,および曲線因子は,得られた自然欠陥濃度値との強い相関を明示している。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  Hall移動度 ,  *アンチモン化ガリウム ,  *Czochralski法 ,  テルル ,  ドーピング ,  *薄膜成長 ,  *光ルミネセンス ,  欠陥 ,  パラメータ
準シソーラス用語： GaSb ,  自然欠陥 ,  曲線因子

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (6件)： 光ルミネセンス ,  成長 ,  Te ,  ドーピング ,  GaSb ,  欠陥