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J-GLOBAL ID：201002252921643430   整理番号：10A0554920

硝酸溶液によるGaAs基板の除去

Removing GaAs substrate by nitric acid solution

著者 (5件)： LI C. C. (Key Lab. of Opto-electronics Technol., Ministry of Education, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  GUAN B. L. (Key Lab. of Opto-electronics Technol., Ministry of Education, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  CHUAI D. X. (Key Lab. of Opto-electronics Technol., Ministry of Education, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  GUO X. (Key Lab. of Opto-electronics Technol., Ministry of Education, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN) ,  SHEN G. D. (Key Lab. of Opto-electronics Technol., Ministry of Education, Beijing Univ. of Technol., Beijing 100124, CHN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 28  号： 3  ページ： 635  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液を使ってGaAs基板を2段階で改善する技術を報告した。著者らの実験では,他の比と比べて,HNO₃:H₂O₂:H₂O=1:6:1のエッチ速度は悪かった。また,硝酸溶液でエッチした表面は約0.15μmの表面平滑度であった。GaAs/GaInPに対してがHNO₃:H₂O₂:H₂O=1:4:1高い選択性を持つことが,粗さが約4.57nmの滑らかな形態から実証された。この技術の利点は容易で,繰返し使え,汚染がないことである。これは発光ダイオードの作成の非常に有望なプロセスである。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *硝酸 ,  *エッチング ,  加工速度 ,  表面粗さ ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  リン化物 ,  基板
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  リン化ガリウムインジウム

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (2件)： 硝酸溶液 ,  GaAs基板