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J-GLOBAL ID：201002253087552452   整理番号：10A1615527

原子スイッチ

The Atomic Switch

著者 (2件)： AONO Masakazu (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (National Inst. Materials Sci., Ibaraki, JPN)
資料名： Proceedings of the IEEE  (Proceedings of the IEEE)
巻： 98  号： 12  ページ： 2228-2236  発行年： 2010年12月 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 極限スイッチの一つは,金属-酸化膜-金属構造の2端子を金属原子ブリッジまたはワイヤ型フィラメントにより接続または切断する,原子スイッチである。原子スイッチは,2電極間の導電通路を形成または消滅するため,金属イオンの拡散とその還元/酸化過程を制御する,電気化学スイッチとして分類される。新型のナノイオン素子である原子スイッチについて概観した。固体電気化学反応を用いて,2電極間金属原子/陽イオンからなる導電通路の形成と消滅を制御することにより,原子スイッチは動作した。ギャップ型原子スイッチ,無ギャップ型原子スイッチと3端子原子スイッチなど,数型の原子スイッチがある。不揮発性に加えて,感光機能,メモリ効果と学習機能などの新機能を開発した。完全に相補型金属-酸化膜-半導体(CMOS)適合である,金属-酸化膜型原子スイッチの開発により,原子スイッチの実現可能性を示した。全型の原子スイッチは,11nm技術ノード以降への縮小化可能性があるため,CMOS以降の素子として重要度を増すことを示した。

シソーラス用語： *スイッチ ,  *ナノ構造 ,  *原子 ,  *不揮発性メモリ ,  ナノテクノロジー ,  二端子回路 ,  三端子回路 ,  ゲート【半導体】 ,  ドレイン【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  半導体素子 ,  *論理素子 ,  イオン伝導 ,  記憶効果 ,  学習 ,  原子スイッチ
準シソーラス用語： メムリスタ ,  電気化学スイッチ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： 原子スイッチ