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J-GLOBAL ID：201002253193462268   整理番号：10A0920666

傾斜バンドギャップ”W”構造タイプII超格子フォトダイオードの浅いエッチメサアイソレーション

Shallow-Etch Mesa Isolation of Graded-Bandgap “W”-Structured Type II Superlattice Photodiodes

著者 (10件)： AIFER E.H. (Naval Res. Lab. (NRL), Washington, DC, USA) ,  WARNER J.H. (Naval Res. Lab. (NRL), Washington, DC, USA) ,  CANEDY C.L. (Naval Res. Lab. (NRL), Washington, DC, USA) ,  VURGAFTMAN I. (Naval Res. Lab. (NRL), Washington, DC, USA) ,  JACKSON E.M. (Naval Res. Lab. (NRL), Washington, DC, USA) ,  TISCHLER J.G. (Naval Res. Lab. (NRL), Washington, DC, USA) ,  MEYER J.R. (Naval Res. Lab. (NRL), Washington, DC, USA) ,  POWELL S.P. (North Carolina State Univ., NC, USA) ,  OLVER K. (Army Res. Lab., MD, USA) ,  TENNANT W.E. (Teledyne Imaging Sensors, CA, USA)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 39  号： 7  ページ： 1070-1079  発行年： 2010年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,HgCdTe合金系を用いた赤外線フォトダイオードが,ほとんどの高性能赤外線焦点面アレイ応用の中心になっている。しかし,この状態が,タイプII超格子ベース素子の最近の進展により課題になっている。本稿では,n/p傾斜バンドギャップ構造の浅いエッチメサアイソレーション(SEMI)に基づいたタイプII超格子フォトダイオードの側壁洩れ制御の新しい方法を報告した。”W”構造タイプII超格子(GGW),大面積ディスクリートダイオード,及び焦点面アレイのような多数のサンプルについてSEMIプロセスの影響を評価した。結果により,SEMIが大面積GGWダイオードの側壁比抵抗を約10倍増加することを示した。また,接合面積低減によるバルク接合電流抑制,及び100%光フィルファクタ供給による量子効率増加を示した。

シソーラス用語： *フォトダイオード ,  *超格子 ,  *アイソレーション【IC】 ,  エッチング ,  *メサ構造 ,  光検出器アレイ ,  側壁 ,  電気抵抗率 ,  漏れ電流 ,  バンドギャップ ,  傾斜
準シソーラス用語： エッチ ,  *焦点面アレイ ,  比抵抗

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： バンドギャップ ,  タイプ ,  超格子 ,  フォトダイオード