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J-GLOBAL ID：201002253561836203   整理番号：10A0944510

アルゴンガスクラスターイオンビームを用いたポリイミド表面からのAr⁺ビーム-誘導損傷層の除去

Removal of Ar⁺ beam-induced damaged layers from polyimide surfaces with argon gas cluster ion beams

著者 (5件)： MIYAYAMA Takuya (ULVAC-PHI, Inc., Kanagawa, JPN) ,  SANADA Noriaki (ULVAC-PHI, Inc., Kanagawa, JPN) ,  BRYAN Scott R. (Physical Electronics, Inc., MN, USA) ,  HAMMOND John S. (Physical Electronics, Inc., MN, USA) ,  SUZUKI Mineharu (ULVAC-PHI, Inc., Kanagawa, JPN)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 42  号： 9  ページ： 1453-1457  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アルゴンガスクラスターイオンビーム(GCIB)スパッタリングによってAr⁺イオン誘導損傷層を除去し,もとのポリイミド(PI)組成および化学と類似のPI表面を示すことができた。X線光電子分光分析から,GCIBスパッタリング後のPI表面は,未損傷元素濃度からの炭素および酸素に対する小さな原子%変化のみを示すことが分かった。Ar⁺イオンビーム誘導損傷層を除去するために必要なGCIBドーズと0.5~4.0keVの範囲でのAr⁺イオンビームエネルギーとの間には線形関係があった。GCIBスパッタリングの関数としてのもとのPI原子組成の回復の速度は,炭素,窒素および酸素に対して類似であり,これらの元素に対する優先的なスパッタリングは存在しないことが示された

シソーラス用語： *ポリイミド ,  *イオンビームスパッタリング ,  *表面分析 ,  *光電子分光分析 ,  X線光電子スペクトル ,  化学組成 ,  エネルギー依存性 ,  深さプロフィル ,  照射損傷 ,  アルゴン ,  クラスタイオン ,  除去
準シソーラス用語： 表面組成 ,  表面損傷

分類 (3件)： 有機化合物の物理分析  (CC03034A) ,  その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  高分子固体のその他の性質  (CG02025L)

タイトルに関連する用語 (6件)： アルゴン ,  ガスクラスターイオンビーム ,  ポリイミド ,  ビーム ,  誘導 ,  損傷