文献

J-GLOBAL ID：201002253693334010   整理番号：10A0772301

トンネル電界効果トランジスタの異常なドレイン電流増加の調査

Investigation of Abnormal Drain Current Increase of Tunneling Field-Effect Transistors

著者 (2件)： LEE Min Jin (Sogang Univ., Seoul, KOR) ,  CHOI Woo Young (Sogang Univ., Seoul, KOR)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 110  号： 110(SDM2010 49-123)  ページ： 55-56  発行年： 2010年06月23日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)はその閾値下の振れ(SS)が室温で60mV/dec以下に減らせるので,MOSFETの後任となる有望な候補である。しかしながら,TFETのlog(I_DS)-V_GS曲線の傾きはゲート電圧(V_GS)が増加するにつれてより小さくなり,最終的にはV_GSが高くなるとMOSFETの傾きよりも小さくなる。TFETのドレイン電流(I_DS)がMOSFETのドレイン電流を超えることができないことは問題である。本論文では,バンド間トンネリングやドリフト機構の観点から,異常なドレイン電流増加の物理的原因を調べた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  MOSFET ,  電流 ,  トンネル効果 ,  抵抗 ,  チャネル ,  *近似法
準シソーラス用語： TFET ,  チャネル抵抗 ,  ドレイン電流 ,  *トンネル電界効果トランジスタ

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  数値計算  (JE02000J)

タイトルに関連する用語 (3件)： トンネル電界効果トランジスタ ,  ドレイン電流 ,  調査