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J-GLOBAL ID：201002253738027343   整理番号：10A0962364

垂直異方性CoFeB-MgO磁気トンネル接合

A perpendicular-anisotropy CoFeB-MgO magnetic tunnel junction

著者 (12件)： IKEDA S. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA K. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  MIURA K. (Hitachi Ltd, Tokyo, JPN) ,  YAMAMOTO H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAMAMOTO H. (Hitachi Ltd, Tokyo, JPN) ,  MIZUNUMA K. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  GAN H. D. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  ENDO M. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KANAI S. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HAYAKAWA J. (Hitachi Ltd, Tokyo, JPN) ,  MATSUKURA F. (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  OHNO H. (Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名： Nature Materials  (Nature Materials)
巻： 9  号： 9  ページ： 721-724  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： W1364A  ISSN： 1476-1122  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代半導体として,スピン半導体の開発が進められている。その中で,垂直磁化容易軸を有する強磁性体を用いた磁気トンネル接合(MTJs)は高密度不揮発性メモリー,熱的に安定なロジックチップおよび省電力電流誘起磁化スイッチへの応用が期待されている。本研究では,CoFeB-MgO系に着目し,Ru/Ta/CoFeB/MgO/CoFeB/Ta構造を,Si/SiO₂Ta/Ru上にスパッタリング法を用いて作製し,TEM観察,磁化曲線,FMRスペクトルによる評価を行った。1nm厚さのCoFeB層はTEM観察により均一であることを確認した。結果として,120%以上の高いトンネル磁気抵抗比,熱的安定性を示し,また,49μAと低いスイッチング電流を示すことを明らかにした。

シソーラス用語： *トンネル接合 ,  鉄化合物 ,  *コバルト化合物 ,  ホウ素化合物 ,  *酸化マグネシウム ,  強磁性体 ,  セラミック膜 ,  垂直磁化 ,  磁気的性質 ,  利用 ,  スピントロニクス ,  超薄膜 ,  スパッタ蒸着 ,  磁気抵抗効果 ,  *磁気トンネル接合

分類 (3件)： その他の接合  (BM03088W) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (4件)： 垂直 ,  異方性 ,  MgO ,  磁気トンネル接合