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J-GLOBAL ID：201002254113043339   整理番号：10A1534643

シリコンナノワイヤ金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの非準静的モデルと1THzまでのそのモデル検証

Non-Quasi-Static Modeling of Silicon Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor and Its Model Verification up to 1 THz

著者 (4件)： CHO Seongjae (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Kyung Rok (Ulsan National Inst. of Sci. and Technol. (UNIST), Ulsan, KOR) ,  PARK Byung-Gook (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KANG In Man (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 11  ページ： 110206.1-110206.3  発行年： 2010年11月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究において,シリコンナノワイヤ(SNW)金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の高周波(RF)性能が最初に非準静的(NOS)小信号等価回路に移植して設計したた。パラメーターは分析的に3次元(3D)デバイスシミュレーションから抽出した。30nmのチャネル長と5nmの半径を有するSNW MOSFETの遮断周波数は線形領域と飽和領域でそれぞれ504と545GHzであった。モデリング結果の信頼度は現実的なモデルを含めたシミュレーションによって確かめられた。SNW MOSFETが1THz動作を目的とするRFシステムのコア要素として有望な対象であることが確認された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *MOSFET ,  半導体薄膜 ,  *計算機シミュレーション ,  パラメータ ,  *HF【周波数】 ,  小信号利得 ,  モデリング
準シソーラス用語： *デバイスシミュレーション

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (12件)：

• J. Zhunge, R. Wang, R. Huang, X. Zhang, and Y. Wang: IEEE Trans. Electron Devices 55(2008)2142.
• J. Song, B. Yu, Y. Yuan, and Y. Taur: IEEE Trans. Circuits Syst.56(2009)1858.
• S. Hamedi-Hagh and A. Bindal: IEEE Trans. Nanotechnol.7(2008)766.
• Z. Yan and A. H. Majedi: IEEE Trans. Appl. Supercond.19(2009)3722.
• S. Jin, C. H. Park, I.-Y. Chung, Y. J. Park, and H. S. Min: J. Semicond. Technol. Sci.6(2006)1.

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコンナノワイヤ ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  モデル ,  モデル検証