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J-GLOBAL ID：201002254217017674   整理番号：10A0986703

表面ゾル-ゲル法によるAl基板上への金属酸化物誘電体超薄膜の形成

著者 (3件)： 青木芳尚 (北大 大学院) ,  三澤貴浩 (北大 大学院) ,  幅崎浩樹 (北大 大学院)
資料名： 電気化学秋季大会講演要旨集  (電気化学合同秋季大会講演要旨集)
巻： 2010  ページ： 183  発行年： 2010年09月02日 
JST資料番号： X0038A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *電解コンデンサ ,  *酸化チタン ,  前駆体 ,  *ゾル-ゲル法 ,  *誘電体薄膜 ,  超薄膜 ,  誘電率 ,  薄膜成長 ,  電気化学インピーダンス ,  静電容量 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡 ,  加水分解 ,  化学吸着 ,  LBL成長 ,  交流インピーダンス
準シソーラス用語： SEM【顕微鏡】 ,  TEM【顕微鏡】 ,  電気容量 ,  比誘電率

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  LCR部品  (NA05030D)

物質索引 (1件)： チタンテトラブトキシド

タイトルに関連する用語 (5件)： ゾル-ゲル法 ,  Al ,  金属酸化物 ,  誘電体 ,  超薄膜