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J-GLOBAL ID：201002254230206788   整理番号：10A0796662

ナノ工具押込試験によるTSVの機械的キャラクタリゼーション用の微小部分残留応力評価

Quantification of Micropartial Residual Stress for Mechanical Characterization of TSV through Nanoinstrumented Indentation Testing

著者 (5件)： LEE Gyujei (Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  SON Ho Young (Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  HONG Joon Ki (Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  BYUN Kwang Yoo (Hynix Semiconductor Inc., Icheon, KOR) ,  KWON Dongil (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 60th Vol.1  ページ： 200-205  発行年： 2010年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体デバイスの高性能,高密度実装化のめ,TSV(スルーシリコンビア)法を使った三次元LSIが生産されるようになった。通常,TSVの内面にはめっきによるCuが埋め込まれる。しかし,埋め込まれたCuの機械的性質は,加工条件などで場所により大きな差が生じ,Cu層の剥離や亀裂が生じる。本稿では,このようなCuの機械的キャラクタリゼーションをする方法として,ナノ工具押込法により微小部分の残留応力を測定した。この方法でTSV微小部分の残留応力を測定するアルゴリズムを提案した。この方法を検証するため,金属学的解析を行い,TSVモフォロジ断面を調べた。

シソーラス用語： *バイアホール ,  LSI【IC】 ,  *残留応力 ,  キャラクタリゼーション ,  硬さ試験 ,  載荷試験 ,  品質保証 ,  積層構造 ,  高密度実装 ,  銅めっき ,  埋込み【挿入】 ,  *ナノインデンテーション
準シソーラス用語： *TSV【配線】 ,  ナノ押込 ,  押込試験 ,  品質評価

分類 (2件)： 混成集積回路  (NC03163K) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 工具 ,  押込試験 ,  TSV ,  キャラクタリゼーション ,  微小 ,  残留応力 ,  評価