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J-GLOBAL ID：201002254421238329   整理番号：10A0586046

Au/ZrO_x/n型Si/In素子の電気的特性に及ぼすゾル-ゲル法で作製したZrO_x薄膜における酸素欠損の効果

Effects of oxygen deficiency in the sol-gel ZrO_x film on the electrical properties of Au/ZrO_x/n-type Si/In devices

著者 (5件)： CHEN Wei-Chung (National Taiwan Univ., Taipei, TEN) ,  CHEN Wei-Chung (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  LIN Yow-Jon (National Changhua Univ. Education, Changhua, TWN) ,  CHEN Ya-Hui (Feng Chia Univ., Taichung, TWN) ,  CHANG Hsing-Cheng (Feng Chia Univ., Taichung, TWN)
資料名： Semiconductor Science and Technology  (Semiconductor Science and Technology)
巻： 25  号： 5  ページ： 055003,1-4  発行年： 2010年05月 
JST資料番号： E0503B  ISSN： 0268-1242  CODEN： SSTEET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Au/ZrO_x/n型Si/In素子の電気的特性とZrO_x薄膜の誘電率に及ぼすO/Zrの原子比の効果を研究した。電気伝導の研究から,漏洩電流を支配するプロセスはSchottkyエミッションであることが分かった。実験結果から,ZrO_xにおける誘電率の増加は酸素空格子点に関係する欠陥数の減少に起因し,その結果として漏洩電流も低下することが判明した。更に,C-V特性から決定されるZrO_xの誘電率とJ-E特性から決定される誘電率の違いは,ZrSi_xO_yから成る中間層の形成によって説明されることが分かった。

シソーラス用語： *酸化ジルコニウム ,  金 ,  *ケイ素 ,  N型半導体 ,  誘電体薄膜 ,  インジウム ,  *MOS構造 ,  ゾル-ゲル法 ,  酸素 ,  空格子点 ,  誘電率 ,  漏れ電流 ,  熱電子放出 ,  酸化物 ,  ジルコニウム化合物 ,  ケイ素化合物 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： FE-SEM

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (7件)： Au ,  Si ,  電気的特性 ,  ゾル-ゲル法 ,  作製 ,  薄膜 ,  酸素欠損