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J-GLOBAL ID：201002254457832731   整理番号：10A0924886

モジュラCMOSファウンドリプロセスの高温応用のためのデバイスレベル信頼性シミュレーション

Device-Level Reliability Simulation for High Temperature Applications of a Modular CMOS Foundry Process

著者 (1件)： ACKERMANN Markus (X-FAB Semiconductor Foundries AG, Erfurt, DEU)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2010 Vol.2  ページ： 1006-1007  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CMOSの動作範囲を448Kまで拡大することはデバイス信頼性に関する大きな挑戦である。ここでは頑強なIC設計を可能にするシミュレーションについて詳細に述べる。設計を可能にするのはMOSFETの最も厳しい本質的な故障機構の信頼性モデルに基づく特定用途向けデバイスレベルライフタイム計算である。信頼性シミュレーションはバイアス条件に関する設計最適化を可能にする。

シソーラス用語： モジュール ,  CMOS構造 ,  生産工場 ,  半導体チップ ,  信頼性解析 ,  シミュレーション ,  最適設計 ,  寿命予測 ,  *MOS集積回路 ,  *CAD【計算機】 ,  *半導体プロセス
準シソーラス用語： ファンドリ

分類 (1件)： 集積回路一般  (NC03161C)

タイトルに関連する用語 (5件)： CMOS ,  ファウンドリ ,  プロセス ,  応用 ,  シミュレーション