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J-GLOBAL ID:201002254495375182   整理番号:10A0920660

”Rule07”再検討:今もなおp/n HgCdTeフォトダイオード性能の良い発見的予測子?

“Rule 07” Revisited: Still a Good Heuristic Predictor of p/n HgCdTe Photodiode Performance?
著者 (1件):
資料名:
巻: 39  号:ページ: 1030-1035  発行年: 2010年07月 
JST資料番号: D0277B  ISSN: 0361-5235  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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こtHgCdTe素子の飽和暗電流に対するRule07の方程式が示されている。本稿では,MBE成長層に製造した最新のプレーナ,イオン注入,p/nフォトダイオードから,Rule07が各種HgCdTe技術比較の簡単な,データベース参照点の提供を試みた。中間波長赤外線と長波長赤外線ダイオードのRule07挙動を解析した。また,歪層超格子(SLS)素子とnBn素子の可能性を調査した。結果により,Rule07が,p/n HgCdTe性能の良い予測子であることを持続していた。この性能レベルを超えるため,Auger-7-制限素子への移動により促進した。SLSがその理論的ポテンシャルに達するとき,飛躍的な改善は,HgCdTeの全Auger抑制またはSLSベース検出器への遷移が必要であった。
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分類 (1件):
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光導電素子 
タイトルに関連する用語 (4件):
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