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J-GLOBAL ID：201002254991708329   整理番号：10A0640541

ペンタセン電界効果トランジスタにおける低場移動度及びアクセス抵抗の直接評価

Direct evaluation of low-field mobility and access resistance in pentacene field-effect transistors

著者 (5件)： XU Yong (IMEP-LAHC, INP-Grenoble, MINATEC, 3 Parvis Louis Neel, BP 257, 38016 Grenoble, FRA) ,  MINARI Takeo (MANA, NIMS, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  TSUKAGOSHI Kazuhito (MANA, NIMS, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN) ,  CHROBOCZEK J. A. (IMEP-LAHC, INP-Grenoble, MINATEC, 3 Parvis Louis Neel, BP 257, 38016 Grenoble, FRA) ,  GHIBAUDO Gerard (IMEP-LAHC, INP-Grenoble, MINATEC, 3 Parvis Louis Neel, BP 257, 38016 Grenoble, FRA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 11  ページ： 114507  発行年： 2010年06月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有機電界効果トランジスタ(OFET)は,電荷キャリアの低い移動度及び高いアクセス抵抗のような制限を受ける。これらの量の直接的で正確な評価は,OFETの特性を理解する上で決定的となる。ペンタセンOFETにY関数法(YFM)を導入した。この方法は,アクセスあるいは接触抵抗影響なしに低場移動度を評価することを可能にした。低場移動度は,OFETの性能評価にとって,現在応用されている電界効果移動度よりも適切であることを示した。そのユニークな利点は,個々のトランジスタにおける接触抵抗影響を直接抑制することであった。このような接触抵抗は,ゲート電圧に関して広く受け入れられている可変なものと較べて,一定ではあるが。伝送線路法との詳細な比較の後,YFMが,接触抵抗評価に関する高速で正確な代替方法であることが分かった。同時に,接触抵抗が,有機トランジスタにおける有効移動度及び電界効果移動度に如何に影響を与えるかも議論した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  半導体薄膜 ,  *接触抵抗 ,  電気抵抗 ,  *性能評価 ,  移動度 ,  ポリアセン
準シソーラス用語： *有機電界効果トランジスタ ,  *低場移動度 ,  アクセス抵抗 ,  電界効果移動度

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

物質索引 (1件)： ペンタセン

タイトルに関連する用語 (6件)： ペンタセン ,  電界効果トランジスタ ,  場 ,  移動度 ,  アクセス ,  評価