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J-GLOBAL ID：201002254993121139   整理番号：10A0238308

種々のプロセスパラメータを考慮したシリコンの方向性凝固中におけるO,N,C含有および関連析出物形成のモデリング

Modeling of incorporation of O, N, C and formation of related precipitates during directional solidification of silicon under consideration of variable processing parameters

著者 (8件)： REIMANN C. (Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  REIMANN C. (Fraunhofer THM, Am St.-Niclas-Schacht 13, 09599 Freiberg, DEU) ,  TREMPA M. (Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  JUNG T. (Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  FRIEDRICH J. (Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  FRIEDRICH J. (Fraunhofer THM, Am St.-Niclas-Schacht 13, 09599 Freiberg, DEU) ,  MUELLER G. (Dep. of Crystal Growth, Fraunhofer Inst. IISB, Schottkystr. 10, 91058 Erlangen, DEU) ,  MUELLER G. (Crystal Consulting, Birkenstrasse 17, 91094 Langensendelbach, DEU)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 7  ページ： 878-885  発行年： 2010年03月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶シリコンインゴットの結晶化中における拡散対流熱およびO,N,C伝達,また,SiO₂,Si₃N₄およびSiC析出物について,メルト領域の軸対称時間依存モデルを報告する。種モデルで考慮するのは種々の原料品質,自由メルト表面からのSiOの蒸発,気体雰囲気からメルトへのCOによる炭素の混合,シリコンメルトによるSi₃N₄坩堝被覆の溶解,Si₃N₄被覆の炭素汚染に起因するメルトへの炭素フラックスおよび移動相境界による偏析効果である。種輸送モデルの開発に加え,詳細なパラメタ変化も示した。実験室スケールの結晶成長装置で得られた,直径6cm,高さ4-5cmの一方向凝固Siインゴットの実験的知見と数値的な結果を比較した。種モデルは実験結果を記述できることが立証された。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *一方向凝固 ,  酸素 ,  窒素 ,  炭素 ,  *不純物 ,  *析出物 ,  *モデリング ,  *ポリシリコン ,  インゴット ,  対流熱伝達 ,  二酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  炭化ケイ素 ,  酸化ケイ素 ,  相境界 ,  偏析 ,  プロセスパラメータ ,  半導体 ,  液相成長
準シソーラス用語： 数値シミュレーション

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： プロセスパラメータ ,  シリコン ,  方向性凝固 ,  析出物 ,  モデリング