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J-GLOBAL ID：201002255033576537   整理番号：10A0220939

独立型CVDダイヤモンド基板上に設けたAlGaN/GaN HEMTのフルウエハ特性評価

Full-Wafer Characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Free-Standing CVD Diamond Substrates

著者 (15件)： CHABAK Kelson D. (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  GILLESPIE James K. (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  MILLER Virginia (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  CRESPO Antonio (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  ROUSSOS Jason (Naval Res. Lab., Washington, DC, USA) ,  TREJO Manuel (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  WALKER Dennis E., Jr. (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  WALKER Dennis E., Jr. (Wyle Lab., OH, USA) ,  VIA Glen D. (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  JESSEN Gregg H. (Air Force Res. Lab., OH, USA) ,  WASSERBAUER John (Group 4 Labs, LLC, CA, USA) ,  FAILI Firooz (Group 4 Labs, LLC, CA, USA) ,  BABIC Dubravko I. (Group 4 Labs, LLC, CA, USA) ,  FRANCIS Daniel (Group 4 Labs, LLC, CA, USA) ,  EJECKAM Felix (Group 4 Labs, LLC, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 2  ページ： 99-101  発行年： 2010年02月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 独立型CVDダイヤモンド基板ウエハ上につくった通常製法による最初のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)に関する電気的特性評価と均一性測定について報告する。ほぼ1.30μm厚み,30mmの円形CVDダイヤモンド基板上に設けたHEMTについて,DCおよびRFデバイス性能を報告した。測定された12.5GHz・μmのf_T・L_G積値はすべてのGaNオンダイヤモンド技術の報告のなかで最高のデータ値である。ダイヤモンド上のAlGaN/GaN HEMTのXバンド出力性能は2.08W/mmを示し,44.1%の電力付加効率である。接触リソグラフィープロセス技術を利用するCVDダイヤモンド基板上へのGaN HEMT作製の可能性について述べた。さらなるエピタクシーとダイヤモンド基板アタッチメントプロセス最適化が,電気的特性を維持しながら放熱改善が実現できると期待される。この材料構造は通常のGaNオンSiC技術よりも明らかに優れている。

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  ダイヤモンド ,  基板 ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  *HEMT ,  窒化ガリウム ,  リソグラフィー ,  *半導体プロセス ,  *マイクロ波トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： CVD ,  ダイヤモンド基板 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  ウエハ ,  特性評価