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J-GLOBAL ID：201002255101696821   整理番号：10A0343702

ゲートファーストプロセスによる遠隔界面層洗浄技術及びV_tチューニング双極子を用いた極端スケールHfO₂(EOT0.42nm)における移動度機構の理解

Understanding Mobility Mechanisms in Extremely Scaled HfO₂ (EOT 0.42nm) Using Remote Interfacial Layer Scavenging Technique and V_t-tuning Dipoles with Gate-First Process

著者 (14件)： ANDO T. (IBM T.J. Watson Res. Center) ,  FRANK M. M. (IBM T.J. Watson Res. Center) ,  CHOI K. (GLOBALFOUNDRIES, NY, USA) ,  CHOI C. (IBM T.J. Watson Res. Center) ,  BRULEY J. (IBM T.J. Watson Res. Center) ,  HOPSTAKEN M. (IBM T.J. Watson Res. Center) ,  COPEL M. (IBM T.J. Watson Res. Center) ,  CARTIER E. (IBM T.J. Watson Res. Center) ,  KERBER A. (GLOBALFOUNDRIES, NY, USA) ,  CALLEGARI A. (IBM T.J. Watson Res. Center) ,  LACEY D. (IBM T.J. Watson Res. Center) ,  BROWN S. (IBM T.J. Watson Res. Center) ,  YANG Q. (IBM T.J. Watson Res. Center) ,  NARAYANAN V. (IBM T.J. Watson Res. Center)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2009  ページ： 394-397  発行年： 2009年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遠隔界面層洗浄技術は,ゲートファーストプロセスによる透過酸化膜厚(EOT)0.42nmまでのHfO₂の究極のスケールダウンを可能にした。移動度への固有界面層スケーリング効果をLa及びAl双極子効果から分離し,移動度-EOT傾向の背後にある物理的起源を明確にした。これらの結果に基づいて,La双極子によるEWFチューニングと組み合わせた遠隔界面層洗浄による極端EOTスケーリングの実現可能性を,外部移動度劣化無しで実証した。この結果は,この技術を16nmノードに対する有望な候補にするであろう。

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  膜厚 ,  酸化膜 ,  *等価性 ,  *MOSFET ,  *ゲート【半導体】 ,  *絶縁膜 ,  *キャリア移動度 ,  境界層 ,  双極子
準シソーラス用語： EOT ,  界面層 ,  電子移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 界面層 ,  洗浄 ,  VT ,  チューニング ,  双極子 ,  スケール ,  HfO2 ,  移動度 ,  理解