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J-GLOBAL ID：201002255378691525   整理番号：10A0924983

電流コラプス,メモリ効果無しのGaN HEMT

Current Collapse, Memory Effect Free GaN HEMT

著者 (3件)： WEN Cheng P. (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  WANG Jinyan (Peking Univ., Beijing, CHN) ,  HAO Yilong (Peking Univ., Beijing, CHN)
資料名： IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest  (IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest)
巻： 2010 Vol.1  ページ： 186-190  発行年： 2010年 
JST資料番号： A0636A  ISSN： 0149-645X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化物へテロ接合のような極性半導体内の電気ダイポールは,ドナー不純物を導入することなくGaN HEMTチャネルの高キャリア密度を実現できる。この特有の材料特性は広いエネルギーバンドの高ブレークダウン電界と一体になって,従来の半導体技術を超える電力密度で動作するGaNを基とする高電力マイクロ波トランジスタを作るのに利用できる。しかし高電力条件で動作するGaN HEMTの電流コラプスは信頼性と性能の安定性に重大な問題の原因となる。近年その原因がトランジスタチャネル電子密度の低減による誘起偏波,表面移動ホールの損失であることが判ってきた。ここでは,トランジスタのチャネル電子と表面移動ホールの両方に対して低いエネルギーバリヤを与える新しいオーミックメタルコンタクト法を見出した。このオーミックコンタクトを用いるGaN MISHEMTはGaN HEMTより高い飽和電流密度で動作できることが判った。

シソーラス用語： *HEMT ,  電流電圧特性 ,  *記憶効果 ,  Ohm接触
準シソーラス用語： *GaN HEMT ,  *GaN MISHEMT ,  オーミックコンタクト ,  *メモリ効果 ,  電流コラプス ,  飽和電流

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電流コラプス ,  メモリ効果 ,  GaN ,  HEMT