文献

J-GLOBAL ID：201002255599219863   整理番号：10A0589297

3.3kVIGBTモジュール

3.3kV IGBT Modules

著者 (3件)： KOGA Takeharu (Fuji Electric Systems Co., Ltd.) ,  ARITA Yasuhiko (Fuji Electric Systems Co., Ltd.) ,  KOBAYASHI Takatoshi (Fuji Electric Systems Co., Ltd.)
資料名： Fuji Electric Review  (Fuji Electric Review)
巻： 56  号： 2  ページ： 51-55  発行年： 2010年05月20日 
JST資料番号： S0167A  ISSN： 0429-8284  CODEN： FUERB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 富士電機では,以前1.2kVおよび1.7kV耐圧において,低損失化,放熱特性の向上,かつ耐環境性能の大幅な改善を実現するIGBTハイパワーモジュールを開発した。このモジュールのパッケージは,低インダクタンスで,電流バランスに優れている。今回開発した3.3kV,1.2kA,IGBTモジュールはこのパッケージ技術を適用した。改良前に比べ,内部インダクタンスを33%低減し,絶縁基板間の電流均一化も良好である。このモジュールでパワーサイクル試験を実施し,十分な耐量を持つことを確認した。3.3kV IGBTモジュールは,産業用途のみならず,車両用途にも使用できる。本稿では,この最新IGBTモジュールの概要と性能について紹介した。

シソーラス用語： *IGBT ,  *モジュール構造 ,  包装技法 ,  熱放射 ,  インダクタンス ,  *出力
準シソーラス用語： パッケージング技術 ,  環境性能 ,  *高出力

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (2件)：

• Nishimura, T. et al. High-power IGBT Modules. Fuji Electric Review.2008, vol.55, no.2, p. 51-55.
• Morozumi, A. et al. Reliability of Power Cycling for IGBT Power Semiconductor Module. Conf. Rec. IEEE Ind. Appl. Conf.36th.2001, p. 1912-1918.

タイトルに関連する用語 (1件)： モジュール