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J-GLOBAL ID：201002255657350088   整理番号：10A0134504

GaN系LEDの信頼性を制限する物理的機構に関する概説

A Review on the Physical Mechanisms That Limit the Reliability of GaN-Based LEDs

著者 (5件)： MENEGHINI Matteo (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  TAZZOLI Augusto (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  MURA Giovanna (Univ. Padova, Padova, ITA) ,  MENEGHESSO Gaudenzio (Telemicroscopy Lab., Pula, ITA) ,  ZANONI Enrico (Univ. Padova, Padova, ITA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 57  号： 1  ページ： 108-118  発行年： 2010年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaN系LEDの寿命を制限する可能性のある故障モードと機構について概説した。広範な信頼性試験によってさまざまなLED構造要素の劣化機構を解析し,とくに,以下の問題に関して報告した。1)非放射再結合速度の増大に起因する効率の低下,2)逆バイアスストレスによる劣化,3)静電放電に関係した突発故障,4)高温ストレスによるOhm接触の劣化,5)白色LEDの色特性の劣化。結果を示し,LEDの技術的弱点,および信頼性評価手順に関する重要な情報を提供した。

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *窒化ガリウム ,  劣化 ,  故障解析 ,  信頼性 ,  故障診断 ,  故障モード ,  再結合中心 ,  バイアス ,  放電 ,  Ohm接触
準シソーラス用語： ESD【放電】 ,  逆バイアス ,  故障機構 ,  *白色LED

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  LED ,  制限 ,  物理