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J-GLOBAL ID：201002255725580127   整理番号：10A0847845

P型珪素中のクロム点欠陥の撮像

Imaging of chromium point defects in p-type silicon

著者 (3件)： HABENICHT Holger (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems (ISE), Heidenhofstr. 2, D-79110 Freiburg, DEU) ,  SCHUBERT Martin C. (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems (ISE), Heidenhofstr. 2, D-79110 Freiburg, DEU) ,  WARTA Wilhelm (Fraunhofer Inst. for Solar Energy Systems (ISE), Heidenhofstr. 2, D-79110 Freiburg, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 108  号： 3  ページ： 034909  発行年： 2010年08月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光ルミネセンス撮影に基づいて,P型珪素中のCr点欠陥分布を空間分解して検出する方法を開発し,単結晶及び多結晶ウエハに適用した。クロム-硼素対形成時の会合時間とCrの準安定欠陥構成によりCrを同定した。Cr濃度決定に影響し得る他の欠陥を調べ,それらの影響を抑制した。Cr濃度を定量評価するためには,両Cr状態に対する電子と正孔の捕獲断面積やエネルギー準位などの欠陥パラメータの厳密な値が不可欠である。寿命のドーピング依存性から,報告されている欠陥パラメータを解析し,僅かに調整して実験結果を説明した。これらのパラメータにより,種々の単結晶及び多結晶試料の平均Cr点欠陥濃度を決定した。さらに,Cr点欠陥濃度の空間分解画像を求め,結晶粒及び結晶粒界あるいは転位クラスタに関して,多結晶試料中の分布を研究できた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： P型半導体 ,  *点欠陥 ,  *ケイ素 ,  クロム ,  撮像 ,  単結晶 ,  多結晶 ,  ウエハ【IC】 ,  *濃度分布 ,  断面積 ,  エネルギー準位 ,  ドーピング ,  転位【結晶】 ,  結晶粒界 ,  結晶粒 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： 捕獲断面積

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： P型珪素 ,  クロム ,  点欠陥 ,  撮像