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J-GLOBAL ID:201002255787987584   整理番号:10A0580530

サブ波長間隔をもつ近接場二重焦点フォトリソグラフィー

Near-field double-spot photolithography with subwavelength spacing
著者 (3件):
資料名:
巻: 283  号: 15  ページ: 3022-3025  発行年: 2010年08月01日 
JST資料番号: A0678B  ISSN: 0030-4018  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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固体浸漬レンズ(SIL)に光学異方性メタ材料(OAM)と高分子複合膜を取付けた近接場二重焦点フォトリソグラフィー法を理論的に調べて報告した。この方法は誘電体マトリックスに埋込まれた金属ナノワイヤからなるOAMを用いて,可視領域のTM波に対する全角度の負の屈折を実現する。ナノスケールOAM-高分子複合膜をもつSIL近接場フォトリソグラフィーシステムを直線偏光ビームで照明すると,対物レンズの焦点領域の電場の縦成分が表面プラズモンにより大幅に増強され,電場の横成分は抑圧される。その結果,SILだけをもつ通常の近接場フォトリソグラフィーシステムの焦点がサブ波長間隔の二つの焦点に分裂する。このOAM-高分子膜をもつ集光系を近接場リソグラフィーに適用すると,サブ波長間隔(波長/5)の深いフォトエッチングパターンの形成が可能になり,通常の単一焦点フォトリソグラフィーに比べると,フォトエッチングの速度が二倍になる。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  光デバイス一般  ,  固体プラズマ 
タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
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