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J-GLOBAL ID：201002255841013604   整理番号：10A0827748

層状のナノ結晶炭化ケイ素ポリタイプを基本とするヘテロ構造の作製

Fabrication of Heterostructures Based on Layered Nanocrystalline Silicon Carbide Polytypes

著者 (5件)： SEMENOV A.V. (Inst. Single Crystals, National Acad. Sci. Ukraine, Kharkov, UKR) ,  LOPIN A.V. (Inst. Single Crystals, National Acad. Sci. Ukraine, Kharkov, UKR) ,  PUZIKOV V.M. (Inst. Single Crystals, National Acad. Sci. Ukraine, Kharkov, UKR) ,  BAUMER V.N. (Inst. Single Crystals, National Acad. Sci. Ukraine, Kharkov, UKR) ,  DMITRUK I.N. (Inst. Physics, National Acad. Sci. Ukraine, Kiev, UKR)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 6  ページ： 816-823  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初期温度が890°Cの基板上に正の温度勾配の条件下でナノ結晶のSiC薄膜を直接イオン蒸着法によって堆積させると,二層から成るヘテロ構造が形成されることが分かった。下の層は3C立方晶系のナノ結晶SiCポリタイプで,上の層は21R菱面体晶系のナノ結晶SiCポリタイプによって構成されている。ヘテロ構造の前面(21R菱面体晶系のナノ結晶SiCポリタイプ)および背面(3C立方晶系のナノ結晶SiCポリタイプ)に関する光ルミネセンス(PL)と光反射スペクトルから,堆積の過程において薄膜の構造は秩序化することが分かった。PLスペクトルに見られる2.6eVのピークは,3C/21Rから成るヘテロ構造の接触領域における電子構造を反映することが分かった。この領域には3Cと21RのSiCポリタイプから成るナノ結晶の混合体が存在することが分かった。また,くさび型のヘテロ構造に関する光学密度スペクトルの変化はヘテロ構造の成長に関して示唆されたモデルと定性的に良く一致することが分かった。実験データに見られるポリタイプ構造の厚さ依存性違いはヒーターと基板から成るシステムにおける熱パラメータの違いに起因するものと考えられる。

シソーラス用語： プラズマCVD ,  *ナノ結晶 ,  *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  多形 ,  層状組織 ,  多層 ,  基板温度 ,  立方晶系 ,  三方晶系 ,  結晶構造 ,  紫外可視発光スペクトル ,  反射スペクトル ,  X線回折 ,  光吸収スペクトル ,  *半導体薄膜
準シソーラス用語： プラズマ蒸着 ,  層状構造 ,  二層

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 層状 ,  ナノ結晶 ,  炭化ケイ素 ,  ポリタイプ ,  ヘテロ構造 ,  作製