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J-GLOBAL ID：201002255920824731   整理番号：10A0490891

化学溶液堆積により形成したSm置換BiFeO₃薄膜の大きな残留分極

Large Remanent Polarization in Sm-Substituted BiFeO₃ Thin Film Formed by Chemical Solution Deposition

著者 (3件)： ZHONG Zhiyong (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN) ,  SUGIYAMA Yoshihiro (Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN) ,  ISHIWARA Hiroshi (Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 4,Issue 1  ページ： 041502.1-041502.4  発行年： 2010年04月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pt/Ti/SiO₂/Si(100)基板上にBi_1-xSm_xFeO₃(x=0~0.15)(BSFO)膜を形成した。スピンコーティングし乾燥させ予備焼成した薄膜を最後に500°Cの空気中と窒素中で結晶化した。BiFeO₃のBiをSmで置換すると,結晶粒度と漏れ電流密度が増大した。残留分極を改善する最適濃度を5at.%と同定した。10及び15at.%BSFO膜では,Sm原子の取込みが過剰で,強誘電性を低下させた。電場1.5MV/cm,周波数25kHzで測定した5at.%BSFO膜の残留分極は82μC/cm²,抗電場は0.35MV/cmであった。また,126nm厚のSm置換BFO膜で最小抗電場電圧7.5Vを得た。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 溶液成長 ,  鉄化合物 ,  酸化物 ,  ビスマス化合物 ,  *薄膜成長 ,  *残留分極 ,  スピンコーティング ,  結晶化 ,  結晶粒度 ,  漏れ電流 ,  電流密度 ,  抗電場 ,  サマリウム ,  材料 ,  磁気電気効果 ,  *効果
準シソーラス用語： 化学溶液堆積 ,  マルチフェロイック ,  *置換効果

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (18件)：

• F. Kubel and H. Schmid: Acta Crystallor., Sect. B 46(1990)698.
• C. Ederer and N. A. Spaldin: Nat. Mater.3(2004)849.
• W. Eerenstein, N. D. Mathur, and J. F. Scott: Nature 442(2006)759.
• B. B. V. Aken, T. T. M. Palstra, A. Filippetti, and N. A. Spaldin: Nat. Mater.3(2004)164.
• S. K. Singh, K. Maruyama, and H. Ishiwara: J. Appl. Phys.100(2006)064102.

タイトルに関連する用語 (6件)： 化学溶液堆積 ,  Sm ,  置換 ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  残留分極