乾式酸化の間におけるシリコン-ゲルマニウム(Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>)薄膜での不整合歪の緩和

YOO Jung-ho; KIM Sun-wook; MIN Byoung-gi; SOHN Hyunchul; KO Dae-hong; CHO Mann-ho

文献

J-GLOBAL ID：201002256008066881 整理番号：10A1542822

乾式酸化の間におけるシリコン-ゲルマニウム(Si_1-xGe_x)薄膜での不整合歪の緩和

Relaxation of misfit strain in silicon-germanium (Si_1-xGe_x) films during dry oxidation

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資料名：
巻： 28 号： 6 ページ： 1298 発行年： 2010年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

シリコン基板上のSi_1-xGe_x層において,歪緩和に及ぼす酸化の効果を調べた。異なるGe分率(x=0.15および0.3)を有するSi_1-xGe_x層を,化学的に清浄なシリコン基板上に,超高真空化学蒸着過程によって成長させた。管状炉内での,O₂雰囲気中で800および900°Cでの酸化は,Si_1-xGe_x薄膜でのトップおよびGe過剰領域で,酸化ケイ素層の生成をもたらした。900°CでのSi_0.85Ge_0.15薄膜の酸化は,残りのSi_1-xGe_x層での不整合歪の緩和をもたらし,酸化時間の増大と共に,Geパイルアップ層での歪の増大をもたらした。一方,800°Cでの酸化は,Si_1-xGe_x層での不整合歪の変化を全く示さなかった。Si_0.70Ge_0.30薄膜の800°Cでの酸化は,Geパイルアップ層での歪の蓄積に伴って,残りのSi_1-xGe_x層での不整合歪の緩和を示した。しかし,Si_0.70Ge_0.30層の900°Cでの酸化は,Geパイルアップ後のGeパイルアップ層での歪緩和を,残存Si_1-xGe_xとSi基板との界面での不整合転位の形成に伴って示した。(翻訳著者抄録)

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半導体薄膜 , 半導体の格子欠陥

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乾式酸化の間におけるシリコン-ゲルマニウム(Si1-xGex)薄膜での不整合歪の緩和

乾式酸化の間におけるシリコン-ゲルマニウム(Si_1-xGe_x)薄膜での不整合歪の緩和