文献

J-GLOBAL ID：201002256213744914   整理番号：10A1330491

ZnOとIGZOを用いた薄膜トランジスタに及ぼす機械的曲げの影響

Impact of Mechanical Bending on ZnO and IGZO Thin-Film Transistors

著者 (3件)： CHERENACK Kunigunde H. (Swiss Federal Inst. Technol. Zuerich, Zuerich, CHE) ,  MUENZENRIEDER Niko S. (Swiss Federal Inst. Technol. Zuerich, Zuerich, CHE) ,  TROESTER Gerhard (Swiss Federal Inst. Technol. Zuerich, Zuerich, CHE)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 31  号： 11  ページ： 1254-1256  発行年： 2010年11月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブルディスプレイに有望で,a-Si:Hに代わるZnOとIGZO(ガリウム-インジウム-ZnO)を用いたTFTの機械的曲げ特性を評価した。サンプルは,12-nm厚のZnO,15-nm厚のIGZOを用いてポリイミド基板上に形成したボトムゲート逆スタガ型TFTである。評価は,曲げに対する移動度,閾値電圧,電流特性を調べた。その結果,10mm半径の曲げの時,ZnO TFTは,移動度が2桁以上の劣化,閾値電圧が約5倍,S値が約2倍増加した。一方,IGZO TFTは殆ど変化しなかった。曲げに強いTFTにはIGZOがベストな選択である。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *曲げ ,  *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  ガリウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  フラットパネルディスプレイ ,  フレキシブル基板 ,  移動度 ,  電圧
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  フレキシブルディスプレイ ,  閾値電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  IGZO ,  薄膜トランジスタ ,  曲げ