文献

J-GLOBAL ID：201002256245400435   整理番号：10A0093922

強誘電膜における完全に反転した1桁ナノメートル分域

Fully inverted single-digit nanometer domains in ferroelectric films

著者 (7件)： TAYEBI Noureddine (Intel Corp., 2200 Mission Coll. Boulevard, Santa Clara, California 95054, USA) ,  NARUI Yoshie (Div. of Chemistry and Chemical Engineering, California Inst. of Technol., Pasadena, California 91125, USA) ,  FRANKLIN Nathan (Intel Corp., 2200 Mission Coll. Boulevard, Santa Clara, California 95054, USA) ,  COLLIER C. Patrick (Div. of Chemistry and Chemical Engineering, California Inst. of Technol., Pasadena, California 91125, USA) ,  GIAPIS Konstantinos P. (Div. of Chemistry and Chemical Engineering, California Inst. of Technol., Pasadena, California 91125, USA) ,  NISHI Yoshio (Dep. of Electrical Engineering, Stanford Univ., 420 Via Palou Mall, Stanford, California 94305, USA) ,  ZHANG Yuegang (Intel Corp., 2200 Mission Coll. Boulevard, Santa Clara, California 95054, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 96  号： 2  ページ： 023103  発行年： 2010年01月11日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電薄膜で安定な1桁のナノメートル反転分域を実現するのは,強誘電性媒質を使った超高密度(>1Tビット/in.²)プローブに基づくメモリ素子の開発でボトルネックになっている基本的な問題の1つである。ここでは,このような分域は,全強誘電膜厚みを通して分域が完全に反転したときのみ安定であることを証明した。これは膜厚に対する電極サイズの臨界比に依存する。これを理解すれば,サイズが10単位胞に相当する直径が4nmと小さい安定な分域を形成することが可能になる。このような分域サイズは40Tビット/in.²データ蓄積密度に相当する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： データ蓄積 ,  *誘電分極 ,  *分極反転 ,  *強誘電分域 ,  誘電体薄膜 ,  容量電圧特性 ,  電極 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (4件)： 誘電膜 ,  反転 ,  桁 ,  分域