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J-GLOBAL ID：201002256681008176   整理番号：10A0710261

三フッ化塩素ガスを用いた単結晶Si太陽電池のテクスチャ処理の検討

著者 (4件)： 三田隆裕 (成蹊大 大学院理工学研究科) ,  幸畑隼人 (成蹊大 大学院理工学研究科) ,  門馬正 (成蹊大 大学院理工学研究科) ,  齋藤洋司 (成蹊大 大学院理工学研究科)
資料名： 日本材料科学会学術講演大会講演予稿集  (日本材料科学会主催学術講演大会講演予稿集)
巻： 2010  ページ： 41-42  発行年： 2010年06月04日 
JST資料番号： L5505A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *単結晶 ,  *太陽電池 ,  *テクスチャ処理 ,  *フッ化塩素 ,  硝酸 ,  混合物 ,  カルボン酸 ,  *表面処理 ,  エッチング ,  反射スペクトル ,  開路 ,  電流密度 ,  *エネルギー変換効率 ,  脂肪酸 ,  薬物
準シソーラス用語： ふっ酸 ,  開放電圧 ,  単結晶シリコン ,  短絡電流密度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

物質索引 (1件)： 酢酸

タイトルに関連する用語 (4件)： フッ化塩素 ,  単結晶Si ,  太陽電池 ,  テクスチャ処理