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J-GLOBAL ID：201002256844773606   整理番号：10A0884334

シリコン金属-酸素-半導体電界効果トランジスタにおけるゲート制御磁気抵抗

Gate controlled magnetoresistance in a silicon metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor

著者 (5件)： CICCARELLI C. (Cavendish Lab., Univ. of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  PARK B. G. (Hitachi Cambridge Lab., Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  OGAWA S. (Hitachi Cambridge Lab., Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  FERGUSON A. J. (Cavendish Lab., Univ. of Cambridge, Cambridge CB3 0HE, GBR) ,  WUNDERLICH J. (Hitachi Cambridge Lab., Cambridge CB3 0HE, United Kingdom and Inst. of Physics ASCR, v.v.i., Cukrovarnicka 10, 162 ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 8  ページ： 082106  発行年： 2010年08月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは磁場が素子の平面に垂直に印加されたときにおける,絶縁破壊領域まででSi金属-酸素-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の磁気抵抗の研究を紹介する。著者らは,ゲート電圧に依存する大きなMRが観測される二つの異なった領域を確認した。著者らは,観測した高MRを説明することができる二つの異なったメカニズムを提案する。さらに,著者らは,どのように MOSFETのMRが,しきい値以下のゲート電圧においてチャネルの寸法とスケーリングするかを研究した。著者らは,チャネル寸法が50×280μm²から5×5μm²までの減少すると,二桁のMR減少を観測した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  半導体 ,  *磁気抵抗 ,  電圧 ,  *MOSFET ,  *チャネル ,  *スケーリング【計数】 ,  絶縁破壊 ,  *制御
準シソーラス用語： ゲート電圧 ,  *ゲート制御

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン ,  酸素 ,  電界効果トランジスタ ,  ゲート制御 ,  磁気抵抗