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J-GLOBAL ID：201002257083312231   整理番号：10A0565112

ポリアリーレート薄膜上に作った透明 可撓性亜鉛-インジウム-スズ物薄膜トランジスタ

Transparent Flexible Zinc-Indium-Tin Oxide Thin-Film Transistors Fabricated on Polyarylate Films

著者 (4件)： CHEONG Woo-Seok (ETRI, Daejeon, KOR) ,  BAK Jun-Yong (ETRI, Daejeon, KOR) ,  BAK Jun-Yong (Korea Maritime Univ., Busan, KOR) ,  KIM Hong Seung (Korea Maritime Univ., Busan, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 5,Issue 2  ページ： 05EB10.1-05EB10.4  発行年： 2010年05月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明プラスチック基板上の透明電極を有するアクティブ・マトリックス有機光放出デバイス(AMOLED)を使い透明 可撓性ディスプレイを実現できる。この研究でポリアリーレート薄膜上に低温で高性能の[ ZITO,ZnO:In₂O₃:SnO₂=3:1:1モル比]薄膜トランジスタ(TFT)を開発した。スパッタ条件を最適化した後に,ITO電極付きのZITO TFTは,16.93cm²V^-1s^-1の高い移動度と,0.39のSS,を持った。一方 ZTO:B電極付きのZITO TFTは掃引でヒステリシスを示さず,2.29cm²V^-1s^-1の移動度と0.18のSSを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ポリアリレート ,  *薄膜トランジスタ ,  フレキシブル基板 ,  酸化インジウムスズ ,  酸化亜鉛 ,  *固体ディスプレイ ,  ヒステリシス ,  移動度

分類 (1件)： 表示機器  (NC06030Q)

引用文献 (9件)：

• M.-C. Sung, H.-N. Lee, C. N. Kim, S. K. Kang, D. Y. Kim, S.-J. Kim, S. K. Kim, S.-K. Kim, H.-G. Kim, and S.-T. Kim: IMID ’07 Dig., p. 133.
• W. Lim, J. H. Jang, J. H. Jang, S.-H. Kim, D. P. Norton, V. Cracium, S. J. Pearton, F. Ren, and H. Shen: Appl. Phys. Lett.93(2008)082102.
• J.-S. Park, T.-W. Kim, D. Stryakhilev, J.-S. Lee, S.-G. An, Y.-S. Pyo, D.-B. Lee, Y. G. Mo, D.-U. Jin, and H. K. Chung: Appl. Phys. Lett.95(2009)013503.
• E. Fortunato, N. Correia, P. Barquinha, L. Pereira, G. Goncalves, and R. Martins: IEEE Electron Device Lett.29(2008)988.
• T. Minami: Semicond. Sci. Technol.20(2005) S35.

タイトルに関連する用語 (7件)： ポリアリーレート ,  薄膜 ,  可撓性 ,  亜鉛 ,  インジウム ,  スズ ,  薄膜トランジスタ