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J-GLOBAL ID：201002257085409100   整理番号：10A0695580

レーザスパイクアニーリング中のn型電界効果トランジスタ性能へのスペーサエンジニアリングの研究

Investigation of Spacer Engineering on n-Type Field Effect Transistor Performance during Laser Spike Annealing

著者 (3件)： HUANG Chien-Chao (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHEN Hao-Yu (National Nano Device Lab., Hsinchu, TWN) ,  LEE Sanboh (National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 6,Issue 1  ページ： 060221.1-060221.3  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 有利な応力最適値があるn型電界効果トランジスタ(n-FET)の新しいライナー酸化物スペーサ構造を調べて,レーザスパイクアニーリング中のソース-ドレインエクステンション(SDE)注入の非晶質領域の結晶化を改善した。n+多結晶シリコンのドーパント活性化性能は,n-FET素子の2種類のスペーサスキームとシート抵抗の判定では同じであるが,酸化物ライナースペーサの接合漏れ電流は従来型の複合スペーサの場合より低かった。スペーサから生じるSDE深さ内部の応力は,従来型の複合スペーサを酸化物ライナースペーサに替えると,圧縮応力から引張応力へと変化した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  N型半導体 ,  レーザアニーリング ,  非晶質 ,  結晶化 ,  ポリシリコン ,  ドーパント ,  漏れ電流 ,  圧縮応力 ,  引張応力 ,  *ソース【半導体】 ,  *ドレイン【半導体】 ,  電流電圧特性 ,  シート抵抗

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (15件)：

• A. Majumdar, Z. Ren, J. W. Sleight, D. Dobuzinsky, J. R. Holt, R. Veingalla, S. J. Koester, and W. Haensch: IEEE Electron Device Lett.29(2008)515.
• A. Shima, T. Mine, K. Toni, and A. Hiraiwa: IEEE Trans. Electron Devices 54(2007)2953.
• C. F. Nieh, K. C. Ku, C. H. Chen, H. Huang, L. T. Wang, L. P. Huang, Y. M. Sheu, C. C. Wang, T. L. Lee, S. C. Chen, M. S. Liang, and J. Gong: IEEE Electron Device Lett.27(2006)969.
• Y. Takamura, E.-H. Kim, S. H. Jain, P. B. Griffin, and J. D. Plummer: Proc. Ion Implantation Technology Conf., 2002, p. 56.
• F. Liu, H. H. Wong, K. W. Ang, M. Zhu, X. Wang, D. M. Y. Lai, P. C. Lim, and Y. C. Yeo: IEEE Electron Device Lett.29(2008)885.

タイトルに関連する用語 (2件)： 電界効果トランジスタ ,  研究