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J-GLOBAL ID:201002257109315641   整理番号:10A0814784

走査トンネル顕微鏡による二次元キャリヤープロフィール測定とその先端的デバイス開発への応用

Two-Dimensional Carrier Profiling by Scanning Tunneling Microscopy and Its Application to Advanced Device Development
著者 (1件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 237-242  発行年: 2010年07月 
JST資料番号: S0076A  ISSN: 0016-2523  CODEN: FUSTA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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ゲート長を50nm未満までスケーリングさせるときの電気特性を改善するために,トランジスタのソース/ドレインおよび拡大領域周辺でドーパントプロフィールを最適化するのに,高解像度で二次元(2D)のキャリヤープロフィール測定技術が望まれている。富士通半導体Ltd.では,走査トンネル顕微鏡により約1nmの高空間分解能を達成した。これは,90nmの技術ノードを超えてスケーリングされるトランジスタの開発に適用される2Dキャリヤープロフィール測定技術を可能にするものである。2Dキャリヤープロフィールのプロセス条件への依存性は,電気特性とよく一致することがわかった。そのようなプロフィールに基づいて,スケーリングされたトランジスタのドーパントプロフィールを最適化した。また,この技術は,トランジスタ性能のばらつきの原因となるドーパント分布揺らぎの評価も可能にする。拡大領域周辺のドーパントプロフィールはゲート線のエッジ粗さに依存することがわかった。測定結果に基づいて,トランジスタ性能のばらつきを抑圧するための様々な方法論を提案した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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固体デバイス製造技術一般  ,  電子顕微鏡,イオン顕微鏡 
引用文献 (14件):
タイトルに関連する用語 (5件):
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