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J-GLOBAL ID:201002257171588999   整理番号:10A0216994

SrTiO3/ダイヤモンドの接合の作製と電気特性

Fabrication and electrical properties of SrTiO3/diamond junctions
著者 (8件):
資料名:
巻: 19  号:ページ: 319-323  発行年: 2010年04月 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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高周波マグネトロンスパッタリングによって,チタン酸ストロンチウム(STO)膜をIb(100)単結晶ダイヤモンド上に直接蒸着した。蒸着時のSTO膜は非晶質状態にあった。一方,250°Cの蒸着温度と650°Cの後熱処理温度の最適条件下で,結晶性のSTO膜が得られた。p+タイプ単結晶ダイヤモンド基板に成長したホウ素ドープのホモエピタキシャル層上に,STO/ダイヤモンド接合を作製した。ダイヤモンドの表面停止を水素や酸素で変え,STO膜の結晶度を変えることによって,STO/ダイヤモンド接合の電気特性を調べた。非晶質のSTOはH-ダイヤモンド表面では準絶縁体のように機能することや非晶質のSTO/O-ダイヤモンド接合がSchottkyダイオードのように振る舞ったのがわかった。結晶性のSTO/O-ダイヤモンドは,複雑な整流挙動を示した。結晶性のSTO膜は,非晶質の膜と比べて,より高い誘電率を持っていた。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
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セラミック・陶磁器の製造  ,  ダイオード  ,  その他の接合 
タイトルに関連する用語 (3件):
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