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J-GLOBAL ID：201002257263386489   整理番号：10A1200438

Schottky障壁を備えたa-Si:Hを基本とする薄膜トランジスタにおけるコンダクタンスのシミュレーション

Conductance Simulation in an a-Si:H Thin-Film Transistor with Schottky Barriers

著者 (2件)： VISHNYAKOV A. V. (Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS) ,  EFREMOV M. D. (Inst. Semiconductor Physics, Russian Acad. Sci., Novosibirsk, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 44  号： 9  ページ： 1249-1252  発行年： 2010年09月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高抵抗のa-Si:Hを基本とする薄膜トランジスタにおいて,障壁高が0.55eV以下のSchottky障壁を持つドレインおよびソース電極は素子内を流れる電流に影響を及ぼさないことが分かった。障壁高が0.75eV以上で,ドレイン電圧,V_d,が低い場合には,素子電流はSchottky障壁の逆電流によって影響を受けることが分かった。また,V_dが増すと,障壁のエッジは導電状態になり,TFTの電流は増大することが分かった。更に,飽和状態における有効移動度は薄膜の特性に依存し,障壁高には依存しないことが明らかになった。

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  *ケイ素 ,  *非晶質半導体 ,  水素化物 ,  半導体薄膜 ,  *薄膜トランジスタ ,  コンダクタンス ,  ドレイン【半導体】 ,  ソース【半導体】 ,  キャリア移動度 ,  電流電圧特性 ,  Fermi準位

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： Schottky障壁 ,  Si ,  薄膜トランジスタ ,  コンダクタンス ,  シミュレーション