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J-GLOBAL ID：201002257392737590   整理番号：10A0373941

イオン注入と閃光ランプ焼なましにより作製した大量Gaドープゲルマニウム層

Heavily Ga-doped germanium layers produced by ion implantation and flash lamp annealing: Structure and electrical activation

著者 (10件)： HEERA V. (Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU) ,  MUECKLICH A. (Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU) ,  POSSELT M. (Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU) ,  VOELSKOW M. (Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU) ,  WUENDISCH C. (Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU) ,  SCHMIDT B. (Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU) ,  SKROTZKI R. (Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU) ,  HEINIG K. H. (Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU) ,  HERRMANNSDOERFER T. (Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU) ,  SKORUPA W. (Forschungszentrum Dresden-Rossendorf (FZD), PF 510119, D-01314 Dresden, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 107  号： 5  ページ： 053508  発行年： 2010年03月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 100keVのGa注入とそれに続く温度700~900°C,3msの閃光ランプ焼なましにより,大量p型ドープGe層を作製した。比較のため,幾つかの試料を高速熱処理装置内で60s焼なました。Gaフルエンスを2×10¹⁵,6×10¹⁵,2×10¹⁶ cm^-2に選んで,平衡固溶限界の僅か下の4.9×10²⁰cm^-3から最大Ga濃度≒8at.%に対応する3.5×10²¹cm^-3までのGaピーク濃度を得た。ドープ層の構造とGa分布をRutherford散乱分光法(RBS)とイオンチャネリング,断面電子顕微鏡,二次イオン質量分析により調べた。温度依存Hall効果を測定し,GaドープGe層の電気的性質を決定した。閃光ランプ焼なましによる塊へのGa拡散が完全に避けられ,表面からの外部拡散によるGa損失が低減した。900°Cで焼なました中Ga濃度で36Ω/sqの最低シート抵抗を得た。調べた三種類のGaフルエンスに対する最良のGa活性化値は73%,60%,24%であった。活性化は層の再成長に相関した。一部の試料で観測した不完全なエピタキシャル再成長では活性化は低かった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イオン注入 ,  *焼なまし ,  ドーピング ,  ゲルマニウム ,  P型半導体 ,  *半導体薄膜 ,  Rutherford散乱分光法 ,  イオンチャネリング ,  電子顕微鏡観察 ,  二次イオン質量分析 ,  温度依存性 ,  Hall効果 ,  電気的性質 ,  固体内拡散 ,  シート抵抗 ,  エピタクシー ,  薄膜成長

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオン注入 ,  閃光ランプ ,  焼なまし ,  作製 ,  Ga ,  ドープ ,  ゲルマニウム