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J-GLOBAL ID：201002257524495710   整理番号：10A0127908

その場SiN_x処理によるHVPE成長GaNエピ層における転位密度の低減

Reduction of the dislocation density in HVPE-grown GaN epi-layers by an in situ SiN _x treatment

著者 (7件)： ASHRAF H. (Applied Materials Sci. (AMS), Inst. for Molecules and Materials (IMM), Radboud Univ. Nijmegen, Heyendaalsweg 135 ...) ,  SRIDHARA RAO D.v. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  GOGOVA D. (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str.2, D-12489 Berlin, DEU) ,  SICHE D. (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str.2, D-12489 Berlin, DEU) ,  FORNARI R. (Leibniz-Institut fuer Kristallzuechtung, Max-Born-Str.2, D-12489 Berlin, DEU) ,  HUMPHREYS C.j. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  HAGEMAN P.r. (Applied Materials Sci. (AMS), Inst. for Molecules and Materials (IMM), Radboud Univ. Nijmegen, Heyendaalsweg 135 ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 312  号： 4  ページ： 595-600  発行年： 2010年02月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化物気相エピタクシー(HVPE)成長GaNエピ層における転位密度を減少させる新たな方法を探索した。この方法により,最新の品質で,HVPE過程におけるSiN_xのその場処理を用いてサファイア基板上にGaN層を成長さた。核形成層(NL)の蒸着後に導入された時に,その場処理が最も効果的に作用する事が分かった。走査電子顕微鏡(SEM)解析によって確認されるように,非晶質SiN_xはGaNシードの選択的成長のみを可能とするマスクとして機能し,標準的試料(SiN_x処理なしに成長させた)と比して一桁小さい転位密度(10⁶cm^-2まで)を得た。透過電子顕微鏡(TEM)研究から,混合的(螺旋およびエッジ成分)性質の転位がGaN層に最も入り込む事が分かった。低温光ルミネセンスは,SiN_xの最適位置で成長させた層の良好な光学的質を示した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： エピタクシー ,  *窒化ガリウム ,  *半導体薄膜 ,  核形成 ,  転位密度 ,  螺旋転位 ,  刃状転位 ,  化合物半導体 ,  走査電子顕微鏡 ,  電子顕微鏡観察 ,  *光ルミネセンス ,  紫外発光スペクトル
準シソーラス用語： *HVPE ,  サファイア基板

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： HVPE ,  成長 ,  GaN ,  エピ層 ,  転位密度