文献

J-GLOBAL ID：201002258156439843   整理番号：10A0465253

フィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTにおけるラグ現象と電流コラプスの解析(2)

著者 (3件)： 小野寺啓 (芝浦工大 システム工) ,  中島敦 (芝浦工大 システム工) ,  堀尾和重 (芝浦工大 システム工)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 57th  ページ： ROMBUNNO.20P-TK-4  発行年： 2010年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *HEMT ,  電流電圧特性 ,  耐圧性 ,  遅れ ,  ドーピング ,  窒化ケイ素 ,  膜厚 ,  ゲート絶縁膜 ,  *電流コラプス ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： GaN HEMT ,  ゲート絶縁体 ,  フィールドプレート ,  *窒化ガリウムアルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： フィールド ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  現象 ,  電流コラプス ,  解析