研究者
J-GLOBAL ID:200901063419389161
更新日: 2022年09月29日
堀尾 和重
ホリオ カズシゲ | Horio Kazushige
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所属機関・部署:
芝浦工業大学 システム理工学部 電子情報システム学科 システム理工学部 電子情報システム学科
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職名:
教授
ホームページURL (1件):
http://www.shibaura-it.ac.jp
研究分野 (4件):
電子デバイス、電子機器
, 電気電子材料工学
, ナノマイクロシステム
, ナノ材料科学
競争的資金等の研究課題 (3件):
2002 - 2005 GaN系電子デバイスのシミュレーション
1996 - 2005 ナノスケールデバイスのモデリングに関する研究
1988 - 2005 化合物半導体デバイスにおける異常現象の解明
MISC (460件):
HORIO Kazushige, TANAKA Toshiya, ITAGAKI Keiichi, NAKAJIMA Atsushi. Two-dimensional analysis of field-plate effects on surface state-related current transients and power slump in GaAs FETs(共著). IEEE Trans. Electron Devices. 2011. 58. 3. 698-703
Kazushige Horio, Toshiya Tanaka, Keiichi Itagaki, Atsushi Nakajima. Two-Dimensional Analysis of Field-Plate Effects on Surface-State-Related Current Transients and Power Slump in GaAs FETs. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2011. 58. 3. 698-703
小野寺 啓, 中島 敦, 堀尾 和重. AlGaN/GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析(共著). 電子情報通信学会,電子デバイス・マイクロ波合同研究会,ED2010-183, MW2010-143. 2011. 110. 359. 45-50
フィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTの耐圧特性の解析(2)(共著). 2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会,27a-P9-3. 2011
フィールドプレート構造AlGaN/GaN HEMTにおけるラグ現象と電流コラプスの解析(2)(共著). 第57回応用物理学関係連合講演会,20p-TK-4. 2010
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書籍 (4件):
Analysis of Parasitic Effects in AlGaN/GaN HEMTs
Advanced Microwave and Millimeter Wave Technologies: Semiconductor Devices, Circuits and Systems 2010
Analysis of Parasitic Effects in AlGaN/GaN HEMTs
Advanced Microwave and Millimeter Wave Technologies: Semiconductor Devices, Circuits and Systems 2010
Metal Semiconductor Field Effect Transistors
Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering 1999
Metal Semiconductor Field Effect Transistors
Encyclopedia of Electrical and Electronics Engineering 1999
Works (6件):
Numerical analysis of backside-electrode effects and field-plate effects on buffer-related current collapse in AlGaN/GaN HEMTs
2010 -
Simulation of surface and buffer trapping effects on gate lag in AlGaN/GaN HEMTs
2010 -
Effects of field plate on surface- and substrate-related power slump in GaAs MESFETs
2010 -
Numerical analysis of backside-electrode effects and field-plate effects on buffer-related current collapse in AlGaN/GaN HEMTs
2010 -
Simulation of surface and buffer trapping effects on gate lag in AlGaN/GaN HEMTs
2010 -
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学歴 (6件):
- 1982 東京大学 工学系研究科 電子工学専攻
- 1982 東京大学
- 1979 東京大学 工学系研究科 電子工学専攻
- 1979 東京大学
- 1977 東京大学 工学部 電子工学科
- 1977 東京大学
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学位 (2件):
工学博士 (東京大学)
工学修士 (東京大学)
受賞 (1件):
Electronics Letters Premium
所属学会 (3件):
電子通信学会(電子情報通信学会)
, 応用物理学会
, IEEE
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