DAGNELUND D. について
Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE について
VORONA I. P. について
Inst. of Semiconductor Physics, National Acad. of Sci. of Ukraine, Kiev, UKR について
VLASENKO L. S. について
A. F. Ioffe Physico-Technical Inst., St. Petersburg, RUS について
WANG X. J. について
Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE について
UTSUMI A. について
Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN について
FURUKAWA Y. について
Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN について
WAKAHARA A. について
Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN について
YONEZU H. について
Toyohashi Univ. Technol., Aichi, JPN について
BUYANOVA I. A. について
Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE について
CHEN W. M. について
Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE について
Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics について
光検波ESR について
超微細相互作用 について
不対電子 について
テンソル について
リン化ガリウム について
ヘテロ接合 について
界面 について
複合欠陥 について
MBE成長 について
ガリウム化合物 について
リン化物 について
窒化物 について
電子スピン について
核スピン について
固固界面 について
光学検出磁気共鳴 について
ODMR について
半導体の格子欠陥 について
金属・半導体のEPR について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
GAP について
GANP について
ヘテロ接合 について
リン について
界面 について
複合欠陥 について
実証 について