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J-GLOBAL ID：201002258234555464   整理番号：10A0786199

SOIに均一にドープされたPタイプ抵抗の温度係数の実験的検証

Experimental verification of temperature coefficients of resistance for uniformly doped P-type resistors in SOI

著者 (12件)： OLSZACKI M (LAAS, CNRS, Toulouse, FRA) ,  OLSZACKI M (Univ. de Toulouse, Toulouse, FRA) ,  OLSZACKI M (DMCS, Lodz, POL) ,  MAJ C (LAAS, CNRS, Toulouse, FRA) ,  MAJ C (Univ. de Toulouse, Toulouse, FRA) ,  MAJ C (DMCS, Lodz, POL) ,  BAHRI M Al (LAAS, CNRS, Toulouse, FRA) ,  MARROT J-C (LAAS, CNRS, Toulouse, FRA) ,  BOUKABACHE A (LAAS, CNRS, Toulouse, FRA) ,  BOUKABACHE A (Univ. de Toulouse, Toulouse, FRA) ,  PONS P (LAAS, CNRS, Toulouse, FRA) ,  NAPIERALSKI A (DMCS, Lodz, POL)
資料名： Journal of Micromechanics and Microengineering  (Journal of Micromechanics and Microengineering)
巻： 20  号： 6  ページ： 064008,1-6  発行年： 2010年06月 
JST資料番号： W1424A  ISSN： 0960-1317  CODEN： JMMIEZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MEMSデバイスのひとつの共通した用途は圧電抵抗圧力センサーである。これはシンプルな構造で直線性に優れ,機械から電気に直接変換するデバイスであるが,温度依存性の問題が明らかになってきた。幾つかの他の研究で確認されているモビリティの分析モデルはドーピングレベルの狭い範囲でしか使えない。そのため,実験データを使わざるを得なかった。温度係数(TCR)を測定するためにSOIにPタイプをドーピングした抵抗で,そのドーピングレベルが2x10¹⁷/cm^-3から1.6x10¹⁹/cm^-3の範囲である試験抵抗を作り,温度範囲が25°Cから70°Cの範囲で温度係数を測定した。開発した圧力センサーの圧電抵抗はAroraのモデルでは予測できない。計算されたTCRの一次係数は現実と大きく異なった。7x10¹⁸から1x10¹⁹の範囲で,文献で発表された値と実験結果の間でその差は300%に達した。TCRの二次係数をドーピングレベルの関数として導出し,幾つかの場合においては,二次係数も一次係数に比べてかなり大きく,無視すべきではないことを示した。

シソーラス用語： *圧力センサ ,  *MEMS ,  ドーピング ,  *SOI構造 ,  *温度係数 ,  温度依存性
準シソーラス用語： PTCR【電気抵抗】 ,  圧電抵抗

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  圧電デバイス  (NC03110I)

タイトルに関連する用語 (6件)： SOI ,  ドープ ,  タイプ ,  抵抗の温度係数 ,  実験 ,  検証