文献

J-GLOBAL ID：201002259250455204   整理番号：10A0700694

イオン注入レベルリソグラフィにおけるレジスト残渣

Resist Residue in Ion Implantation Level Lithography

著者 (5件)： OJIMA Tomoko (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  ASANO Masafumi (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TAKAHASHI Masanori (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SEINO Yuriko (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MIMOTOGI Shoji (Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 49  号： 6,Issue 2  ページ： 06GD05.1-06GD05.5  発行年： 2010年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トポグラフィ基板に対する注入レベルリソグラフィ後に残る残留レジストの解析を行った。45nmノード相補型金属酸化膜半導体(CMOS)において経験した問題を記述した。実験及びシミュレーション研究により,フッ化アルゴン(ArF)エキシマーレーザからフッ化クリプトン(KrF)エキシマーレーザへ露光波長を変えるとゲートスタック基板における残留レジストの問題は改善する事を見いだした。ゲートなどのデバイススタックに対するリソグラフィでは,分解能はk₁のRayleigh方程式では説明できない。しかし,32nm及び以下のノードに対しては,与えられたマスクレイアウトに対して要求される分解能の観点から,ArFイメージングはイオン注入レベルにおいて適用されねばならない。したがって残留レジストの機構を明確にするために3次元(3D)リソグラフィシミュレーションを用いた。解析から,側壁材料による露光吸収が残留レジストの原因と考えられる。注入レベルにおけるポストゲートリソグラフィに対しては,マスクレイアウトの分解能だけではなく露光の吸収も考慮する必要がある。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エキシマレーザ ,  *フォトリソグラフィー ,  *イオン注入 ,  *フォトレジスト ,  半導体 ,  計算機シミュレーション ,  ナノメータ加工 ,  分解能 ,  回路パターン形成 ,  CMOS
準シソーラス用語： ArFエキシマレーザ ,  KrFエキシマレーザ

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (5件)：

• H. R. Lee, I. Y. Popova, J. M. Rolick, J.-M. Gomez, and T. C. Bailey: Proc. SPIE 7273(2009)72730Y.
• F. M. Houlihan, A. Dioses, T. Kudo, M. Li, L. Zhang, S. Vasanthan, S. Chakrapani, D. Parthasarathy, C. Antonio, E. Ng, P.-H. Lu, M. Neisser, and M. Padmanaban: Proc. SPIE 7273(2009)727316.
• T. Bailey, G. McIntyre, B. Zhang, R. Deschner, S. Mehta, W. Song, H. Lee, Y. Hue, and M. Brodsky: Proc. SPIE 6924(2008)69244F.
• A. Endo, T. Sato, M. Asano, S. Mimotogi, and S. Inoue: Proc. SPIE 5377(2004)920.
• H. Fujiwara: Bunko Eripusornetori (Spectral Ellipsometry)(Maruzen, Tokyo, 2003) p. 19 [in Japanese].

タイトルに関連する用語 (4件)： イオン注入 ,  リソグラフィ ,  レジスト ,  残渣