文献

J-GLOBAL ID：201002259262567474   整理番号：10A0780924

パルスパワー応用のためのSiC SGTOの利点と最新の進歩

The benefits and current progress of SiC SGTOs for pulsed power applications

著者 (9件)： OGUNNIYI Aderinto (Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA) ,  O’BRIEN Heather (Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA) ,  LELIS Aivars (Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA) ,  SCOZZIE Charles (Army Res. Lab., 2800 Powder Mill Rd., Adelphi, MD 20783, USA) ,  SHAHEEN William (Berkeley Res. Associates, 6551 Mid Cities Avenue, Beltsville, MD 20705, USA) ,  AGARWAL Anant (Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703, USA) ,  ZHANG Jon (Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703, USA) ,  CALLANAN Robert (Cree Inc., 4600 Silicon Drive, Durham, NC 27703, USA) ,  TEMPLE Victor (Silicon Power Corp., 958 Main Street, Clifton Park, NY 12065, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 54  号： 10  ページ： 1232-1237  発行年： 2010年10月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素(SiC)は,その電気的および物理的特性により,半導体電力デバイスのための有力な材料である。本稿では,パルスパワー応用におけるSiCスーパーゲートターンオフサイリスタ(SGTO)の利用の利点を記述し,SiC SGTOの最新の進歩と開発をレビューし,高ブロッキング能力をもつ大面積GTOの静的およびパルス特性を提供した。0.5cm² SiC SGTOの広パルス評価を示し,陸軍研究所(ARL)にて報告した。本稿では,1cm² SiC SGTOの広パルス能力を提供した。1cm² SiC SGTOデバイスは,1msパルス幅にて0.5cm² SiC SGTOのピーク電流の2倍まで操作可能にした。これらのデバイスの広パルス評価をARLで示した。ARLでは,6個のこれらのデバイスの静的およびパルス特性を評価した。これらのデバイスは9kVの順方向ブロキング電圧比をもち,ミリ秒パルス幅のためにゲートへの1Aの負パルスのトリガー要求をもっている。これらのデバイスは,1msにて3/5kAでパルス化した。それは,デバイスの活性面積に基づいて,6×10³A²の動作比および4.8kA/cm²の電流密度に相当する。このデバイスの狭いパルス評価をCree社が示している。パルス幅17μs(チップサイズに基づいた12.8kA/cm²に対応する)のパルス幅をもつ12.8kAの電流ピークをこのデバイスにより達成した。Copyright 2010 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *サイリスタ ,  ターンオフ ,  GTO【サイリスタ】 ,  電流 ,  陸軍 ,  電流密度 ,  パルス幅
準シソーラス用語： SiC ,  *パルスパワー ,  ピーク電流

分類 (1件)： サイリスタ  (NC03060C)

タイトルに関連する用語 (4件)： パルスパワー ,  応用 ,  SiC ,  利点