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J-GLOBAL ID：201002259883374254   整理番号：10A0176363

外部電界印加による交換バイアスチューニングで(La,Sr)MnO₃薄膜の抵抗変化

Resistance Changes of (La,Sr)MnO₃ Thin Film via Exchange Bias Tuning by the Application of an External Electric Field

著者 (4件)： YOKOTA Takeshi (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  MURATA Shotaro (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  KITO Sinya (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN) ,  GOMI Manabu (Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 421/422  ページ： 107-110  発行年： 2010年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cr₂O₃/La_0.7Sr_0.3MnO₃(LSMO)磁気ヘテロ系の種々のフィールドクーリング(FC)磁場で,電界誘起抵抗変化と交換相互作用強度との関係を調べた。交換バイアス場はFC場に影響され,磁気ヘテロ系はFCによる交換バイアス変化で磁気曲線が正へシフトし,シフト量はFC磁場に相当した。Cr₂O₃ゲートへの外部電界印加によりLSMOの抵抗は負に変化した。抵抗の変化はCr₂O₃とLSMO膜との界面相互作用強度による。

シソーラス用語： *ランタン化合物 ,  *ストロンチウム化合物 ,  *マンガン化合物 ,  *酸化物 ,  蒸着膜 ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  *電気抵抗率 ,  *電場効果 ,  *バイアス ,  同調 ,  外場 ,  電場 ,  *酸化クロム ,  磁化 ,  磁性薄膜
準シソーラス用語： 外部電場 ,  *交換バイアス ,  磁場冷却

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (7件)： 電界印加 ,  交換バイアス ,  チューニング ,  La ,  Sr ,  薄膜 ,  抵抗変化