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J-GLOBAL ID：201002260087375999   整理番号：10A1104679

H₂-O₂触媒反応により生成した高エネルギーH₂Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の結晶構造

著者 (5件)： 田原将巳 (長岡技科大 工) ,  三浦仁嗣 (長岡技科大 工) ,  黒田朋義 (長岡技科大 工) ,  西山洋 (長岡技科大 工) ,  安井寛治 (長岡技科大 工)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Meeting. Japan Society of Applied Physics (CD-ROM))
巻： 71st  ページ： ROMBUNNO.17A-ZJ-1  発行年： 2010年08月30日 
JST資料番号： Y0055B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *エピタクシー ,  *触媒反応 ,  白金触媒 ,  水素 ,  酸素 ,  *発熱反応 ,  *結晶構造 ,  優先配向 ,  X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  MOCVD ,  水

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  不均一系触媒反応  (CB06100E)

タイトルに関連する用語 (10件)： H2 ,  O2 ,  触媒反応 ,  高エネルギー ,  H2O ,  成長 ,  ZnO ,  エピタキシャル ,  薄膜 ,  結晶構造