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J-GLOBAL ID：201002260246048775   整理番号：10A1165719

HfInZnO非晶質酸化物薄膜トランジスタにおける光学的及び電気的バイアスの同時ストレスによるゲート電極からの電荷注入

Charge injection from gate electrode by simultaneous stress of optical and electrical biases in HfInZnO amorphous oxide thin film transistor

著者 (12件)： KWON Dae Woong (Interuniversity Semiconductor Res. Center (ISRC) and Graduate School of Convergence Sci. and Technol., Seoul ...) ,  KIM Jang Hyun (Interuniversity Semiconductor Res. Center (ISRC) and Graduate School of Convergence Sci. and Technol., Seoul ...) ,  CHANG Ji Soo (Interuniversity Semiconductor Res. Center (ISRC) and Graduate School of Convergence Sci. and Technol., Seoul ...) ,  KIM Sang Wan (Interuniversity Semiconductor Res. Center (ISRC) and Graduate School of Convergence Sci. and Technol., Seoul ...) ,  SUN Min-chul (Interuniversity Semiconductor Res. Center (ISRC) and Graduate School of Convergence Sci. and Technol., Seoul ...) ,  KIM Garam (Interuniversity Semiconductor Res. Center (ISRC) and Graduate School of Convergence Sci. and Technol., Seoul ...) ,  KIM Hyun Woo (Interuniversity Semiconductor Res. Center (ISRC) and Graduate School of Convergence Sci. and Technol., Seoul ...) ,  PARK Jae Chul (Semiconductor Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin, Gyeonggi-Do 446-712, KOR) ,  SONG Ihun (Semiconductor Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin, Gyeonggi-Do 446-712, KOR) ,  KIM Chang Jung (Semiconductor Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin, Gyeonggi-Do 446-712, KOR) ,  JUNG U In (Semiconductor Lab., Samsung Advanced Inst. of Technol., Yongin, Gyeonggi-Do 446-712, KOR) ,  PARK Byung-gook (Interuniversity Semiconductor Res. Center (ISRC) and Graduate School of Convergence Sci. and Technol., Seoul ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 97  号： 19  ページ： 193504  発行年： 2010年11月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質ハフニウム-インジウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタにおける,光及びdcバイアスの同時ストレス下における安定性に関する包括的な研究を行った。正閾値電圧(V_th)シフトを,負ゲートバイアス及び光ストレス後に観測したが,それは,負バイアスストレスが,バイアス誘起正孔トラッピングにより左方向にV_thシフトを生じると説明する,広く受け入れられている現象と完全に異なっていた。ゲート電流測定を行い,光及び負ゲートバイアスの同時印加下における異常な正V_thシフトを説明した。結果として,正V_thシフトが,ゲート電極からゲート絶縁体への電子注入から導かれることが明白になった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  ハフニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化物 ,  非晶質 ,  キャリア注入
準シソーラス用語： *電圧ストレス ,  *光ストレス ,  *閾値電圧 ,  電圧シフト ,  ゲート電圧 ,  電子注入 ,  電荷注入

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (8件)： 非晶質 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  光学 ,  バイアス ,  ストレス ,  ゲート電極 ,  電荷注入