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J-GLOBAL ID：201002260583315831   整理番号：10A0343667

逆接続1T/1MTJセルを利用した45nm低電力CMOS論理適合可能組込みSTT MRAM

45nm Low Power CMOS Logic Compatible Embedded STT MRAM Utilizing a Reverse-Connection 1T/1MTJ Cell

著者 (15件)： LIN C. J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN) ,  KANG S. H. (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  WANG Y. J. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN) ,  LEE K. (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  ZHU X. (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  CHEN W. C. (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  LI X. (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  HSU W. N. (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  KAO Y. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN) ,  LIU M. T. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN) ,  CHEN W. C. (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN) ,  LIN YiChing (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN) ,  NOWAK M. (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  YU N. (Qualcomm Inc., CA, USA) ,  TRAN Luan (Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd., HsinChu, TWN)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2009  ページ： 256-259  発行年： 2009年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン転送トルク(STT)MRAMが,スケーラビリテイ,速度とエネルギー消費の利点を有する可能性がある次世代不揮発性メモリ(NVM)として出現した。低電力(LP)トランジスタとCu/low-κ(低誘電率)バックエンド工程(BEOL)を用いた標準CMOS論理基盤技術に適合した,45nm組込みSTT MRAMを初めて実現した。スイッチング動作マージンを補償するため,新規の逆接続1トランジスタ/1磁気トンネル接合(1T/1MTJ)セル(セルサイズ0.1026μm²)と統計的設計手法を開発した。このセルを用いて,最大32Mビット密度の組み込みメモリマクロを構成した。その結果,STT MRAMは,先端LP論理技術用の魅力的な不揮発性組込みメモリとして可能であることを示した。

シソーラス用語： 消費電力 ,  *CMOS構造 ,  *トルク ,  *スピントロニクス ,  電子スピン ,  *MRAM ,  熱安定性 ,  *不揮発性メモリ ,  スケーリング【計数】 ,  トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  半導体プロセス ,  生産ライン ,  *論理設計
準シソーラス用語： スピン移動トルク ,  磁気トンネル接合 ,  BEOL

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： セル ,  低電力 ,  CMOS ,  論理 ,  組込み ,  MRAM